Міністерство освіти і науки України Національний університет „Львівська політехніка” Кафедра „Автоматика і телемеханіка” МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ до розрахункової роботи з навчальної дисципліни „Електроніка та мікросхемотехніка” (частина ІІ) „Розрахунок типових електронних схем” для студентів стаціонарної форми навчання освітніх напрямів: „Комп’ютеризовані системи, автоматика і управління” та „Інформаційна безпека” 2005 – Львів 1. Підсилювачі змінного струму 1.1. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером  EMBED Visio.Drawing.6 
 Рис.1.1. Схема транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні  EMBED Equation.3 
 Задаємося значенням струму колектора транзистора в режимі спокою  EMBED Equation.3 
 Приймаємо номінальне значення струму спокою колектора транзистора  EMBED Equation.3 
. Знаходимо мінімальне значення напруги між колектором і емітером транзистора  EMBED Equation.3 
 де  EMBED Equation.3 
 – напруга насичення транзистора, яка залежить від значення колекторного струму і матеріалу з якого виготовлений транзистор. Переважно напруга насичення для малопотужного транзистора складає  EMBED Equation.3 
 Задаємося спадом напруги на емітерному резисторі  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
 і записуємо вираз для значення напруги живлення підсилювального каскаду  EMBED Equation.3 
 EMBED Equation.3 
 Звідси отримуємо формулу для напруги живлення підсилювального каскаду  EMBED Equation.3 
 Приймаємо значення напруги живлення виходячи з нормалізованого ряду: 5В, 6В, 9В, 10В, 12В, 15В, 18В, 20В, 24В, 27В, 30В, 36В, 40 В, 50В, 60В, …, 100В. Розраховуємо значення емітерного резистора  EMBED Equation.3 
 Номінальні значення розрахованих резисторів, переважно, вибираємо згідно з нормалізованого ряду Е24 з допуском  EMBED Equation.3 
. Розраховуємо значення колекторного резистора  EMBED Equation.3 
 Визначаємо струм бази транзистора в режимі спокою  EMBED Equation.3 
 Задаємося струмом базового подільника напруги  EMBED Equation.3 
 .і розраховуємо значення опорів резисторів  EMBED Equation.3 
 і  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
 де  EMBED Equation.3 
 – значення відповідних параметрів транзистора при мінімальній температурі оточуючого середовища. Визначаємо еквівалентний опір базового подільника напруги  EMBED Equation.3 
. Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності  EMBED Equation.3 
 Розраховуємо значення приросту некерованого струму колектора  EMBED Equation.3 
 при зміні температури в заданому діапазоні  EMBED Equation.3 
. Для кремнієвих транзисторів  EMBED Equation.3 
 де  EMBED Equation.3 
 EMBED Equation.3 
 – значення некерованого струму колектора транзистора при певній температурі Т0 (переважно ця температура складає 20о С або 25оС). Для германієвих транзисторів  EMBED Equation.3 
 Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміщення вхідної характеристики транзистора при зміні температури оточуючого середовища  EMBED Equation.3 
 в заданому діапазоні  EMBED Equation.3 
 де  EMBED Equation.3 
 – температурний коефіцієнт зміщення вхідної характеристики транзистора, який для германієвих і кремнієвих транзисторів приблизно дорівнює – 2 (мВ/ oC). Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при зміні температури оточуючого середовища на  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
 де  EMBED Equation.3 
 – температурний коефіцієнт відносної зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою, який для малопотужних транзисторів складає 2·10-4 (1/oC). Сумарний приріст колекторного струму при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів при ідеальній термостабілізації  EMBED Equat...